H5TQ4G63AFR-H9C
Modèle de produit H5TQ4G63AFR-H9C
Fabricant HYNIX
La description HYNIX BGA
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Référence fabricant H5TQ4G63AFR-H9C Catégorie Circuits intégrés (ci)
Fabricant Hynix Semiconductor La description HYNIX BGA
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Modèle de Produit

H5TQ4G63AFR-H9C

Introduction

DDR3 SDRAM de Hynix Semiconductor

Marque et Fabricant

Hynix Semiconductor

Caractéristiques

SDRAM DDR3, fonctionnement à basse tension, débits de transfert élevés, horloge de données différentielle bi-directionnelle

Performance du Produit

Densité de 4 Gigabits, format de module mémoire à double rangée, 8 banques internes pour un fonctionnement simultané, latence CAS programmable supportée

Spécifications Techniques

Norme PC3-14900, configuration à un rang, organisation x8

Dimensions, Forme et Conditionnement

Format DIMM standard à 240 broches, empreinte conforme aux normes JEDEC, expédié en conditionnement tray ou bande de bobinage

Qualité et Fiabilité

Performances étendues en température, terminaison sur le die (ODT), sans plomb (conforme RoHS), tests de fiabilité conformes aux normes JEDEC

Avantages du Produit

Performances à large bande, fonctionnalités basse consommation améliorées, conception thermique avancée

Compétitivité du Produit

Technologie éprouvée sur le marché, soutenue par la réputation de l'industrie de Hynix, solution économique

Compatibilité

Compatible avec les interfaces DDR3 standard, prend en charge diverses plateformes nécessitant de la mémoire standard DDR3

Certification et Conformité aux Normes

Conformité JEDEC, conformité RoHS, matériaux de soudage sans plomb

Durée de Vie et Durabilité

Conçu pour une durabilité opérationnelle prolongée, respecte les normes de fiabilité MTBF de l'industrie

Champs d'Application Réels

Systèmes de calcul, modules de mémoire pour serveurs, applications de calcul haute performance, matériel de mise en réseau

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